L'usine de fabrication de semi-conducteurs de puissance sur tranches de 300 mm de Toshiba est achevée : après la mise en service de la première phase de production, la capacité de production est 2,5 fois supérieure à celle prévue pour l'exercice 2021

Ce site a rapporté le 24 mai que Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (ci-après dénommé Toshiba) a publié une annonce le 23 mai, a annoncé l'achèvement de son usine de fabrication de semi-conducteurs de puissance sur tranches de 300 mm et de son immeuble de bureaux.

Toshiba a déclaré dans un communiqué de presse qu'il installe actuellement les équipements appropriés et s'efforce de démarrer la production de masse au cours du second semestre de l'exercice 2024. Une fois la première phase du projet entièrement mise en production, la capacité de production de semi-conducteurs de puissance de Toshiba (principalement MOSFET et IGBT) sera 2,5 fois supérieure à ce qu'elle était lorsque le plan d'investissement a été formulé au cours de l'exercice 2021, tandis que la construction et l'exploitation de la deuxième phase être décidé en fonction des conditions du marché.

Le nouveau bâtiment de fabrication suit et apportera une contribution significative au plan de continuité des activités (BCP) de Toshiba : il dispose d'une structure d'isolation pour absorber les chocs sismiques et les alimentations électriques redondantes.

Ce site présente le communiqué de presse officiel selon lequel l'énergie provenant de sources renouvelables et les panneaux solaires sur le toit du bâtiment (modèle PPA sur site) permettront à l'installation de répondre à 100 % de ses besoins en électricité grâce aux énergies renouvelables.

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