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SK Hynix annonce le lancement de la mémoire HBM4E dès 2026, avec 1,4 fois la bande passante de la génération précédente

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2024-06-03 09:43:241085parcourir

Selon les informations de ce site du 14 mai, Kim Gwi-wook, le patron de HBM, a récemment affirmé dans un communiqué officiel que la technologie HBM actuelle dans l'industrie avait atteint un nouveau niveau. La demande de l'industrie a incité SK Hynix à accélérer. le processus de développement et les lancer dès 2026. Pour la mémoire HBM4E, la bande passante mémoire pertinente sera 1,4 fois celle de HBM4.

SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存,带宽为上代 1.4 倍

En plus du HBM4E, selon des rapports précédents sur ce site, il est rapporté que SK Hynix prévoit de lancer le premier lot de produits HBM4 utilisant un empilement DRAM à 12 couches au second semestre 2025, tandis que le 16- Le HBM empilé en couches sera lancé plus tard en 2026.

SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存,带宽为上代 1.4 倍

Le "processus d'accélération" de développement de HBM4 / HBM4E montre sans aucun doute la forte demande de mémoire haute performance de la part des géants du domaine de l'IA. Les processeurs d'IA de plus en plus puissants nécessitent l'assistance d'une bande passante mémoire plus élevée.

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"SK Hynix accélère la production de masse de la mémoire HBM4, dans le but de lancer le premier lot de produits au second semestre 2025"

"SK Hynix et TSMC ont signé un protocole d'accord visant à mettre HBM4 en production en 2026"

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