How to load global data into NEON registers more efficiently in Go's assembler?

php小编百草为您带来了关于在Go的汇编器中如何更高效地将全局数据加载到NEON寄存器的解决方案。Go语言在底层使用汇编器来优化性能，而NEON寄存器是ARM架构中的一种特殊寄存器，用于加速多媒体和信号处理操作。本文将介绍如何使用适当的指令和技巧，以提高数据加载到NEON寄存器的效率，从而优化Go程序的性能。让我们一起来看看吧！

问题内容

arm64 asm代码中有p256one全局数据作为示例：

DATA p256one<>+0x00(SB)/8, $0x0000000000000001
DATA p256one<>+0x08(SB)/8, $0xffffffff00000000
DATA p256one<>+0x10(SB)/8, $0xffffffffffffffff
DATA p256one<>+0x18(SB)/8, $0x00000000fffffffe

GLOBL p256one<>(SB), 8, $32

我需要将 p256one(SB) 加载到 V0 和 V1 寄存器中。目前我使用以下方法：

LDP p256one<>+0x00(SB), (R0, R1)
    LDP p256one<>+0x10(SB), (R2, R3)
    VMOV R0, V0.D[0]
    VMOV R1, V0.D[1]
    VMOV R2, V1.D[0]
    VMOV R3, V1.D[1]

这里总共使用了六个指令。我们知道我们可以加载内存数据，如下所示：

VLD1 (R0), [V0.B16, V1.B16]

但是我们似乎无法用同样的方法加载全局数据。

那么，在Go的汇编代码中是否有更高效的方式将全局数据加载到NEON寄存器中呢？

解决方法

尝试将地址加载到寄存器中，然后从该地址加载：

MOVD $p256one<>(SB), R0
    VLD1 (R0), [V0.B16, V1.B16]

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