10月21日，多位知情人士透露，三星电子与sk海力士正加快对中国本地工厂的技术升级步伐，目标是量产层数突破200层的nand闪存芯片，以应对智能手机、pc以及ai数据中心日益增长的存储需求，并推动中国生产基地的制造能力向韩国本土产线看齐。
SK海力士
目前，三星位于西安的晶圆厂已具备约200层NAND闪存芯片的量产能力，该基地贡献了三星全球NAND总产能的约40%。三星内部代号为“我的朋友”（My Friend）的升级项目正在稳步推进，旨在将西安工厂全面转向286层V9 NAND产品的制造。公司计划于今年12月达成每月5000片晶圆的产量目标，并在2027年12月进一步提升至每月4万片晶圆。三星强调，本次技术升级严格遵循美国出口管制相关法规，聚焦于满足全球市场订单需求，不包含新增产线或扩大整体产能规模。
SK海力士方面，则拟将其大连工厂的产品结构由当前的192层NAND逐步切换至240层及以上规格。据知情人士透露，该公司已获得美方许可，在大连工厂生产最高达240层的NAND芯片，并有可能就300层以上产品的本地研发事宜申请进一步审批。此外，SK海力士也在与美国政府就赴美建设NAND制造工厂的相关事宜展开沟通与协商。
自2022年起，美国针对部分先进芯片制造设备实施出口管制，导致三星与SK海力士在中国工厂引入美国产蚀刻设备等关键装备时，需按年度提交许可证申请。此类监管限制一度延缓了产线升级节奏。市场数据显示，长江存储在2024年第二季度已占据中国NAND市场的38.5%份额，而三星和SK海力士的市占率则分别下滑至33.5%和17%。两家韩企均已确认相关升级工作正在进行中，但暂未公开更具体的量产时间表及技术细节。
