近日，2026中国工博会集成电路展（国芯展）在上海国家会展中心隆重举行。聚焦千瓦级ai芯片供电这一行业共性难题，朗矽科技ceo汪大祥在展会期间发表题为《ai处理器供电网络与先进封装的深度融合》的主题演讲，并正式对外发布《硅电容技术白皮书2.0》。该白皮书围绕硅基无源器件的技术演进路径、与先进封装工艺的协同融合策略、以及产业链上下游协作机制等关键维度，提出系统性技术观点与实践路径，为国内大算力ai芯片供电系统的工程化落地提供了重要支撑与参考依据。
算力功耗逼近物理边界，垂直供电架构亟需硅基无源新范式
汪大祥在演讲中指出，随着AI算力持续跃升，高端AI芯片功耗已跨入千瓦量级，而其核心工作电压却不断下探至毫伏级区间。在高电流密度与极窄电压窗口双重约束下，电源分配网络（PDN）正面临直流IR压降加剧、瞬态响应波动显著、去耦电容放电导致电压塌陷等三大严峻挑战。
在此趋势下，传统依赖PCB层间布线的水平供电架构已逼近性能极限，向基板、2.5D/3D封装乃至芯片背面延伸的垂直供电网络（VPS），正加速成为主流技术方向。千瓦级AI芯片的供电问题，早已超越单一板级设计范畴，演变为涵盖芯片设计、基板制造、先进封装集成、无源器件选型与定制的跨层级系统工程。其中，3D深沟槽电容（DTC, deep trench capacitor）凭借超低ESR/ESL、超高单位体积电容密度、以及可实现晶圆级键合集成的薄型化优势，已成为近芯片端高效去耦的核心器件，并逐步作为飞跨电容被广泛应用于集成式电压调节器（IVR, integrated voltage regulator）；而片上磁芯电感，则是构建2.5D/3D IVR不可或缺的关键元件。二者协同配合，共同构筑下一代AI芯片垂直供电网络的技术底座。
汪大祥强调，AI芯片垂直供电网络堪称人类芯片工程史上最具复杂度的系统挑战之一，涉及背面供电结构设计、先进封装多物理场（热-电-力-磁）跨尺度耦合建模与仿真、磁性材料与CMOS工艺兼容性等多重技术壁垒，亟需产业链开放共建、联合突破。朗矽科技将持续加码硅基无源器件研发力度，加快基板埋容、硅中介层集成DTC、片上磁芯电感等核心技术迭代与产品化进程，同步完善白皮书等公共技术资源输出体系，全力助推基于尖端无源器件与先进封装的AI芯片垂直供电网络产业化发展。
白皮书2.0重磅升级，朗矽科技构建国产硅基无源器件全栈能力
本届展会期间，由朗矽科技牵头完成全面升级的《硅电容技术白皮书2.0》正式发布。相较1.0版本，新版白皮书内容大幅拓展，面向芯片设计企业、封测厂、基板供应商及终端系统厂商，提供覆盖技术原理、实测对比、封装适配、多场景应用与开发指南在内的完整技术参考，有力支撑国产硅电容在算力产业链中的规模化导入与深度应用。
据悉，本次白皮书重点涵盖五大板块：一是系统梳理硅电容从早期结构到当前主流DTC工艺的技术发展脉络；二是补充硅电容与MLCC陶瓷电容在高频响应、温漂特性、直流偏置稳定性等方面的实测数据对比分析；三是新增硅电容在传统有机基板埋容、玻璃基板集成、2.5D硅中介层嵌入、3D堆叠集成等前沿先进封装形态下的技术方案、电磁仿真模型及典型工程案例；四是拓展高速光模块、功率半导体、航空航天电子、高端医疗设备等多元化应用场景下的器件选型建议；五是强化热-电耦合仿真方法、可靠性加速测试标准、工艺兼容性评估框架及产业链协同开发流程等实用内容。
朗矽科技硅电容商业化进程提速，CZT片上磁芯电感进入流片验证阶段
依托自主研发的深沟槽DTC制造工艺，朗矽科技硅电容整体具备“三小三高一稳”的综合性能特征：尺寸小、等效串联电阻（ESR）小、等效串联电感（ESL）小；电容密度高、高温稳定性好、高频响应优异；且无电压偏置效应，性能一致性更优。
目前，公司表贴式硅电容与基板埋容两大主力产品线均已实现稳定量产，并通过多家头部芯片客户严苛验证，关键参数达到国际一线水准，成功实现核心环节国产化替代。此外，面向ABF载板的埋容产品正处于与封装厂联合开发阶段；硅电容与玻璃基板集成方案已列入近期技术路线图；2.5D硅中介层集成DTC项目亦已正式启动立项。硅电容正由传统分立器件形态，加速迈向与有机基板、玻璃基板及硅中介层深度融合的新阶段。
在电感领域，朗矽科技自主研发的CZT（钴-锆-钽合金）片上磁芯电感已完成首版原型流片验证。该器件采用低温重布线层（RDL）工艺，高度兼容标准CMOS制程，通过磁芯交错沉积与分层结构设计，有效抑制高频涡流损耗。当前，国内片上磁芯电感仍主要集中于高校与科研院所实验室阶段，朗矽科技呼吁产业链上下游协同投入资源，加快补齐2.5D/3D IVR所需无源器件的国产化短板。
公开信息显示，朗矽科技成立于2023年3月，2024年获评国家高新技术企业，并获批承担先导产业（集成电路方向）核心技术攻关专项；2025年入选上海市专精特新中小企业名录，并斩获“创·在上海”国际创新创业大赛一等奖；2026年再获全国颠覆性技术创新大赛优胜奖。
近年来，朗矽科技已建成涵盖硅电容、硅电阻、硅电感、硅中介层在内的平台化产品矩阵，并前瞻性卡位集成电压调节器（IVR）赛道。截至目前，公司已累计申请核心专利数十项，产品型号逾200款，月产能突破5亿颗，已有20余家客户完成技术验证或进入量产交付阶段，在AI算力加速卡、高性能服务器平台、高速光互连模块等领域实现批量出货，并成功签订亿元级订单。
