esp_deep_sleep_start()后程序彻底终止，唤醒后从app_main()重新执行，所有栈/堆变量丢失，仅rtc内存保留；必须在app_main()开头配置唤醒源并判断唤醒原因，否则无法正常循环运行。
esp_deep_sleep_start() 之后代码不执行，必须靠唤醒源重启
调用 esp_deep_sleep_start() 后，ESP32 立即关闭 CPU、RAM、Wi-Fi、蓝牙、主晶振等全部模块，程序流彻底终止。它不是“暂停”，而是“断电重启”——唤醒后从 app_main() 重新开始执行，所有栈/堆变量丢失（RTC memory 除外）。这意味着你不能在 loop() 里写“睡完继续干活”的逻辑，而要设计成“启动 → 处理 → 配置唤醒 → 睡眠”的单次事务流。
常见错误现象：
• 在 esp_deep_sleep_start() 后还写了串口打印或传感器读取，结果完全没输出；
• 误以为能保留全局变量状态，实际每次唤醒都是干净的内存环境；
• 忘记在唤醒前配置唤醒源，导致芯片永远沉睡（需手动复位）。
实操建议：
• 所有初始化（如 GPIO、I²C、LoRa）必须放在 app_main() 开头；
• 数据保存必须显式写入 RTC memory（用 rtc_data_t 结构 + esp_rtc_get_reset_reason() 判断是否为唤醒）；
• 唤醒原因判断必须在 app_main() 开头做：用 esp_sleep_get_wakeup_cause() 区分是定时器还是 GPIO 触发。
定时唤醒用 esp_sleep_enable_timer_wakeup()，注意单位是微秒
esp_sleep_enable_timer_wakeup() 是最常用、最可靠的唤醒方式，适合周期性任务（如每 5 分钟上报一次温湿度）。它的计时基于 RTC 慢时钟（32.768 kHz 晶振），精度约 ±100 ppm，深睡期间持续运行。
参数差异：
• 输入值单位是微秒（uint64_t），不是毫秒或秒；
• 常见写法：esp_sleep_enable_timer_wakeup(60 * 1000000ULL) 表示 60 秒；
• 若用宏定义，推荐 #define uS_TO_S_FACTOR 1000000ULL，避免整数溢出（32 位系统上 60 * 1000000 可能截断）。
性能影响：
• 启用定时器本身不耗电，但若未禁用其他唤醒源，可能引入意外唤醒；
• 实测中，仅启用定时器 + 关闭所有外设后，待机电流可压至 2.5–5 µA（取决于硬件设计，如是否使用外部 32.768 kHz 晶振）。
容易踩的坑：
• 忘记调用 esp_sleep_disable_wakeup_source(ESP_SLEEP_WAKEUP_ALL) 清除默认唤醒源；
• 在非 RTC GPIO 上误配 EXT0/EXT1 唤醒，导致编译通过但硬件无响应；
• 把 esp_sleep_enable_timer_wakeup() 放在 esp_deep_sleep_start() 之后——这行永远不会执行。
GPIO 唤醒必须用 RTC GPIO，且需正确配置上下拉与触发边沿
只有标记为 RTC 功能的 GPIO（如 GPIO0、GPIO2、GPIO4、GPIO12–15、GPIO25–27、GPIO32–39）才能在深度睡眠中保持供电并响应中断。其中 GPIO34–39 仅支持输入，无内部上下拉，必须外接电阻；其余 RTC GPIO 可启用内部上拉/下拉。
使用场景：
• 按键唤醒（如用户按一下设备上报紧急事件）；
• 传感器中断信号（如 PIR 人体感应模块输出高电平）；
• 多引脚组合唤醒（用 esp_sleep_enable_ext1_wakeup()）。
实操建议：
• 单引脚唤醒优先用 esp_sleep_enable_ext0_wakeup(gpio_num, level)，例如 esp_sleep_enable_ext0_wakeup(GPIO_NUM_4, 0) 表示 GPIO4 拉低唤醒；
• 多引脚唤醒用 esp_sleep_enable_ext1_wakeup(mask, mode)，mask 是位掩码（如 (1ULL ）；<br>• 必须在进入睡眠前设置好引脚模式：<code>gpio_pullup_dis() / gpio_pulldown_dis() 配合内部电阻，或外接 4.7kΩ 上拉/下拉；
• 若用下降沿唤醒，按键另一端必须接 GND；若用上升沿，另一端接 VCC，并确保引脚初始为低电平（靠下拉）。
外设关断不彻底是功耗超标的主因，硬件级漏电必须排查
即使代码配置正确，实测电流仍达几十微安甚至毫安级，大概率是硬件漏电。ESP32 深度睡眠功耗下限由硬件决定，软件只能逼近它。
常见漏电点：
• I²C 上拉电阻（4.7kΩ 接 3.3V）在睡眠时仍构成直流通路，电流约 0.7 mA；解决方法：把上拉供电端接到受控 GPIO（如 GPIO25），睡眠前拉低该引脚；
• LED 或指示灯阴极接地、阳极接 GPIO 输出低电平“熄灭”，实际仍导通；应改用 N-MOSFET 控制，睡眠前关闭 MOSFET；
• SD 卡槽 CD 引脚浮空，引入 8 µA 漏电；加 100kΩ 下拉电阻即可；
• 未关闭 LoRa 模块电源（如 SX127x 的 RESET 或 ANT_SW 引脚未置为高阻态）；
• 使用 AMS1117-3.3 等 LDO 而非 DC-DC，其静态电流本身就有 5 mA。
关键动作：
• 进入深度睡眠前，逐个调用外设关闭函数：shutdownRadio()（停 Wi-Fi/BT）、dp_shutdown()（关屏）、gpio_hold_en() 和 gpio_deep_sleep_hold_en() 锁定关键供电引脚；
• 用万用表电流档实测 VDD 引脚电流，确认是否进入 µA 级别；
• 若实测 > 10 µA，先断开所有外部电路，只留 ESP32 最小系统，再逐个接入排查。
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