9月4日，counterpoint research发布的最新行业数据显示，长鑫存储在2026年第二季度全球dram市场营收份额攀升至10%，稳居全球第四大dram供应商行列，与三星、sk海力士及美光三大国际巨头之间的市场份额差距正显著收窄。
图源 Counterpoint 下同
AI算力基建浪潮正深度重塑存储产业供需结构。伴随AI基础设施建设加速推进，内存芯片需求激增，市场供应明显趋紧。海外头部厂商纷纷将产能资源向高附加值的HBM（高带宽内存）倾斜，导致通用型DRAM产能持续缩减，为长鑫存储创造了关键的战略窗口期。凭借成熟稳定的产品良率，长鑫持续扩大全球出货量，并成功获取合理溢价空间，实现营收与净利润的倍数级增长，成为当前全球增长势头最迅猛的DRAM芯片企业。
依托通用DRAM市场景气周期所积累的利润基础，长鑫同步加快产能落地节奏，并持续加大前沿技术研发投入，重点布局HBM高带宽内存及面向下一代移动终端的LPDDR内存技术，全力向高端存储领域进阶，加速缩小与国际领先水平的技术代差。
长期以来，全球DRAM市场由三家海外厂商主导，定价权高度集中。长鑫存储市占率迈过10%门槛，标志着国产存储产业迎来历史性突破，首次实质性打破长期固化、近乎垄断的寡头格局。尤为值得关注的是，长鑫当前的市场拓展并非依赖低价策略，而是以可靠供应能力与产品多样性赢得客户认可，有效缓解全球供应链过度集中的潜在风险。随着国产HBM等高端存储产品逐步量产商用，全球存储价格体系或将迎来结构性调整。
编辑点评：10%的市占率是长鑫存储发展进程中的重要里程碑，但并不意味着国产存储已全面实现对国际巨头的技术反超。这一阶段性成果，离不开AI超级周期带来的强劲需求红利；而在HBM等尖端领域，技术积累与量产能力仍存在客观差距。长鑫真正的战略价值，在于为全球产业链提供了可信赖的“第二来源”，助力客户摆脱对单一海外供应商的深度依赖。短期内，不应预期内存价格出现大幅回落——存储行业具有典型的强周期特征，企业唯有在上行阶段夯实盈利基础，方能在后续调整期保持稳健发展。长鑫接下来的核心任务，是将周期性增长转化为可持续的技术竞争力，在HBM研发、先进制程演进等关键方向持续攻坚，最终实现从“能供”到“优供”、从“跟随”到“并跑乃至领跑”的跃升。
