9月2日至4日，2026开放数据中心大会暨首届算博会（odx2026）在北京隆重举行，三星半导体受邀参展，全面呈现面向未来智能体ai（agentic ai）基础设施的前沿存储技术与解决方案。展会期间，三星电子副总裁、nand闪存规划与赋能事业部负责人玄在雄（jayhyun）发表题为《突破内存墙：重构面向智能体ai的数据通路》的主题演讲，深入剖析ai演进对底层硬件架构带来的全新挑战与机遇。
展会同期，三星半导体多项成果获得行业高度认可：专为AI规模化扩展打造的PCIe Gen6企业级SSD——PM1763获评“年度突破项目”；上海三星半导体有限公司荣登“年度先锋企业”榜单；三星电子副总裁、中国区Memory事业部首席技术官尹松虎博士被授予“年度领军人物”称号。上述荣誉充分印证了三星在AI时代存储技术路线图上的前瞻性布局与扎实落地能力。
玄在雄在演讲中强调，人工智能正加速由生成式AI迈向更具自主性与协同性的智能体AI阶段。这类AI系统具备任务规划、多步执行与持续反思能力，并能调度多个智能体协同处理复杂场景。该范式转变将催生指数级增长的Token数据流，对计算单元、内存带宽及存储吞吐能力提出前所未有的严苛要求。
三星电子副总裁兼NAND闪存规划与赋能事业部负责人玄在雄（JayHyun）在ODX2026发表主旨演讲，分享面向智能体AI的数据通路与存储架构创新
“这一跃迁正在重塑整个AI基础设施的技术底座，而内存与存储正成为驱动变革的核心引擎。”玄在雄指出。随着智能体AI模型规模持续扩大，KV Cache的体积与更新频率同步激增。其短暂生命周期与海量容量需求，决定了必须构建具备超高读取带宽、纳秒级延迟、超大单盘容量以及适配AI负载特性的专用存储层级。三星已围绕下一代异构计算架构展开系统性研发，致力于为智能体AI提供坚实可靠的数据基石。
在高性能AI场景下，三星推出旗舰级PCIe Gen6企业固态硬盘PM1763。该产品融合三星第九代TLC V-NAND闪存、4纳米制程主控芯片及PCIe 6.0 x4高速接口，顺序读写速度最高分别达28,400MB/s与21,000MB/s，随机读写IOPS峰值高达680万与95万；单盘容量覆盖4TB至64TB，满足训练与推理双场景极限性能诉求。
针对大规模AI工作负载对存储密度的迫切需求，三星同步发布高容量QLC SSD——BM1773。该产品搭载第九代QLC V-NAND与5纳米主控，单盘容量区间为16TB至256TB，在单位面积存储效率、持续吞吐稳定性及长期可靠性方面实现全面提升。PM1763与BM1773共同构成三星AI存储“双引擎”，分别从极致性能与海量容量两个关键维度支撑下一代AI基础设施建设。
三星半导体在ODX2026展示PM1763、BM1773和zNAND-O，分别面向AI基础设施的高性能、高容量以及容量、带宽与成本效率需求
为应对端侧AI模型快速膨胀所引发的DRAM成本压力，三星创新推出zNAND-O三维集成存储方案。该技术比特密度达DRAM的10倍，读取带宽与能效较传统NAND提升约7倍，为边缘侧AI部署提供了兼具高性能与高性价比的新型存储路径。
依托先进3D堆叠架构，zNAND-O核心芯片采用SLC工艺，并整合第十代BV-NAND与硅通孔（TSV）互连技术，支持与NPU同封装集成，并通过UCIe标准接口实现低延迟通信，兼顾纵向堆叠与横向扩展能力。在三星提出的混合内存架构中，操作系统、应用逻辑、KV Cache及激活参数仍驻留于DRAM，而体积庞大、读取密集的模型权重则迁移至zNAND-O存储层，从而显著降低对高成本大容量DRAM的依赖。
三星内部仿真数据显示：相较传统UMA DRAM系统，zNAND-O架构可在维持同等AI推理性能的前提下，大幅压缩内存子系统总成本，并支持部署接近两倍规模的端侧大模型。
过去十年间，三星持续发布系列技术白皮书与产品规范，积极助力中国数据中心产业高质量发展；并于西安建成占地约120万平方米的NAND存储产业集群，彰显其深耕中国市场的长期承诺。
三星半导体在ODX2026荣获多项荣誉
“三星已全面做好准备，积极参与并推动所有有助于中国AI生态发展的技术协作。”玄在雄在演讲结尾表示。三星半导体将持续联合客户、合作伙伴及产业界同仁，深化内存、存储与计算的协同创新，携手跨越智能体AI时代的“数据鸿沟”，释放下一代AI基础设施的全部潜能。
注：文中产品性能数据源自三星实验室环境下的内部测试结果，实际表现可能因系统配置、固件版本及运行环境差异而有所不同。
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