近日，sk海力士首席执行官郭鲁正发出警示：2027年或将演变为存储产业有史以来供应压力最大的一年，眼下因内存价格攀升所引发的市场波动，可能仅是序幕。

据《Business Times》披露，2027至2028年，全球存储类晶圆产能年均增幅预计约为12%，但其中接近50%将被高带宽内存（HBM）占据。具体来看，三星2026年HBM出货量预估为120亿Gb，到2027年将飙升至200亿Gb；SK海力士同期数据则由180亿Gb跃升至240亿Gb。HBM对晶圆资源的强势占用，正持续挤压传统DRAM的制造空间。

供需失衡由此加剧：2027至2028年间，非HBM型DRAM的位元供给年增长率预计被压制在15%左右，而市场需求增速却维持在22%，两者之间将形成约7个百分点的供应缺口。

新增产能落地节奏亦显滞后。三星P5 Fab 1虽定于2027年7月启动量产，但P5 Fab 2及位于龙仁的另一座新厂，要直至2029年才能实现满产。SK海力士方面，龙仁Y1工厂预计2027年2月投产，Y2工厂则需等到2028年下半年方可投入运营。短期内，增量产能难以为继，无法及时弥合供需断层。

MyBatis存储过程、MyBatis分页、MyBatis一对多增删改查操作 中文WORD版

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作为潜在调节力量，长鑫存储向DDR6技术路线的升级进程或可提供部分缓冲，但其量产时间仍处于未明确阶段，且该产品是否面向海外市场供货尚无定论。

值得关注的是，威刚科技董事长陈立白近期亦公开反驳“AI泡沫”说法，指出未来十年最紧缺的两大要素将是“电力与内存”。他评价三大原厂当前扩产策略审慎务实，不存在盲目过热现象，并预测内存价格在今年下半年仍将延续上行趋势。