近日，三星galaxy s26 fe的基准测试成绩浮出水面，其搭载的exynos 2500芯片在性能表现上相较galaxy z flip 7实现明显跃升。据悉，galaxy z flip 7受限于翻盖式折叠结构带来的空间约束，三星对其exynos 2500设定了较低的功耗阈值，以规避机身过热风险，导致该芯片未能达到理论峰值性能。而galaxy s26 fe采用常规直板形态，散热系统更为高效，为exynos 2500提供了更理想的运行环境，使其性能得以充分释放。

据Geekbench平台公开数据显示，Galaxy S26 FE单核得分为2426分，多核得分为8004分。相较之下，其单核与多核性能分别比Galaxy Z Flip 7高出约38%和22%。这印证了Exynos 2500在S26 FE平台上更能发挥3nm先进制程所带来的能效与算力优势。

在其他硬件配置方面，此前曝光的信息指出，Galaxy S26 FE有望配备一块6.7英寸Dynamic AMOLED显示屏，支持120Hz自适应刷新率，并具备IP68级防尘防水能力、双扬声器立体声输出以及屏下光学指纹识别功能。影像系统方面，新机或将前置一颗1200万像素自拍摄像头；后置三摄模组则由5000万像素主摄、1200万像素超广角镜头及800万像素长焦镜头（支持3倍光学变焦）构成，所有镜头均支持4K 60fps视频录制，主摄 additionally 支持8K 30fps视频拍摄。

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存储与续航配置方面，Galaxy S26 FE预计搭载8GB运行内存，内置存储提供256GB与512GB两种选项；电池容量为4900mAh，兼容45W有线快充技术，预计将于今年正式登场。