全球硅知识产权（ip）领军企业m31円星科技（m31）今日在2026年台积电北美技术研讨会上正式宣布：其eusb2v2接口ip已在台积电（tsmc）n2p制程节点顺利完成流片（tapeout）。m31指出，此举标志着公司在先进工艺接口ip领域的深度布局取得关键进展，将有力支撑2纳米世代芯片设计需求，助力客户在高集成度soc中部署兼具高速率与低功耗特性的互连解决方案。
M31携手台积电完成eUSB2V2在N2P工艺流片，强化先进工艺设计IP生态系统
伴随制程持续微缩，SoC正朝着更高计算密度与更严苛能效（Energy Efficiency）目标演进。在此背景下，I/O接口不仅需保障高速数据传输与生态兼容性，更须在更低工作电压及更受限的功耗预算下，确保信号完整性与可制造性。本次成功流片的eUSB2V2 IP，正是基于TSMC N2P平台特性，在架构、电路与版图（Layout）层面开展协同优化，从而全面提升性能表现、功耗效率，并兼顾面积利用率与系统级整合灵活性。
技术亮点方面，该IP在完全兼容现有USB 2.0生态系统的基础上，支持1.2V/0.9V双电压操作模式；通过增强模拟前端设计，引入可编程发送端去加重（De-emphasis）及接收端CTLE/VGA均衡技术，显著提升先进制程下信道链路的鲁棒性与设计自由度。性能层面，eUSB2V2最高支持4.8Gbps（HS10）传输速率，并创新采用等时突发传输机制（Isochronous Burst），大幅优化多任务并发传输效率。此外，IP支持非对称带宽的HSUx/HSDx运行模式，在标准工况下典型功耗低至50mW。结合N2P先进制程优势，该方案尤其适用于AI加速器、高性能计算（HPC）以及移动终端等对性能与能效均提出极致要求的应用场景。
对于此次N2P平台上的重要突破，M31总经理张原熏表示：“面向2纳米节点的接口IP必须深度适配工艺平台，方能切实提升设计效率并加快产品上市节奏。”他进一步强调：“本次eUSB2V2 IP在TSMC N2P工艺的成功流片，正是M31‘平台导向’开发策略的集中体现——我们致力于帮助客户高效导入核心接口模块，显著缩短从设计启动到量产准备的整体周期，从而全面提升2纳米芯片的市场竞争力。”
M31强调，此次里程碑式成果的达成，得益于与台积电在先进工艺IP联合开发中的紧密协作，涵盖平台化设计方法论的贯彻执行、针对工艺特性与I/O约束条件所开展的电路与版图级精细调优，以及对平台参考设计流程（DRF）的全面适配。经TSMC先进节点实证验证的IP资源，将进一步赋能双方共同客户，加速接口集成验证、系统级测试及产品交付进程。
面向未来，M31计划将本次2纳米eUSB2V2 IP的开发经验快速复用至更多TSMC先进制程节点，并持续强化在AI、边缘计算及智能终端等高增长领域的IP布局，不断夯实IP平台的技术纵深与长期商业价值。
