毫无疑问，中国正全力推进hbm内存的国产化进程，这对于ai计算的发展至关重要。

据DigiTimes最新消息，长江存储正积极筹备进军DRAM领域，并计划与长鑫存储携手，合力突破HBM内存技术瓶颈。

报道指出，双方具备极强的互补优势：长鑫存储拥有深厚的DRAM技术积累，而长江存储则掌握着先进的Xtacking晶栈架构，该工艺理论上可应用于内存的堆叠与封装。尤其是在HBM持续升级的背景下，混合键合封装技术对提升带宽和优化散热起着决定性作用。

有分析显示，长鑫存储已在HBM2研发上取得关键进展，产品已向客户送样，预计将于明年年中实现小批量生产。

与此同时，长鑫存储也在加速布局HBM3，预计最快在2026至2027年完成研发，甚至有望同步推进HBM3E的开发。

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另有消息称，国内HBM产业链正加速整合，长江存储、武汉新芯专注于先进封装技术的研发，而通富微电子则在芯片组装环节提供支持，形成协同攻关态势。

尽管与SK海力士、三星、美光等国际巨头相比，中国在HBM技术上仍存在一定差距，但追赶步伐极为迅速。