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Micron kündigt den branchenweit ersten 232-Layer-QLC-Flash-Speicher an und bringt gleichzeitig 2500 SSD auf den Markt

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2024-04-17 19:52:35477Durchsuche

Laut Nachrichten dieser Website vom 17. April gab Micron bekannt, dass es das erste Unternehmen der Branche ist, das einen 232-Layer-QLC-NAND-Flash-Speicher auf den Markt bringt.

Dieser Flash-Speicher wurde in bestimmten Intrinsic-Solid-State-Produkten auf der Verbraucher-Einzelhandelsseite verwendet, wurde auf der Verbraucher-OEM-Seite an Kunden mit 2500 Solid-State-Laufwerken getestet und hat mit der Massenproduktion für Speicherunternehmen auf der Unternehmensseite begonnen.

Micron gab an, dass sein 232-Layer-QLC eine Flash-Speicher-I/O-Rate von 2400MT/s hat, was 50 % höher ist als der 176-Layer-QLC-Flash-Speicher der vorherigen Generation Die Programmierleistung wird ebenfalls um 24 % bzw. 31 % verbessert.

Micron behauptet außerdem, dass dieser Flash-Speicher einen Bitdichtevorteil von 28 % gegenüber den QLC-Produkten vieler Mitbewerber aufweist.

Micron hat außerdem das Solid-State-Laufwerk 2500 mit 232-Layer-QLC-Flash-Speicher herausgebracht. Dieses Solid-State-Laufwerk entspricht der PCIe Gen4x4-Spezifikation, unterstützt das NVMe 1.4c-Protokoll und verfügt über ein DRAM-freies Design ohne externen Cache + HMB-Lösung.

美光宣布业界率先推出 232 层 QLC 闪存,同步发布 2500 固态硬盘

2500 ist in drei Formfaktoren erhältlich: M.2 2230/2242/2280, alle einseitig, einschließlich drei Kapazitäten von 512 GB/1 TB/2 TB. Das bedeutet, dass diese SSD 2 TB Speicherplatz im kompakten Formfaktor der 2230 bereitstellen kann und sich somit für Geräte wie Handheld-Konsolen eignet.

Diese Website organisiert die Parameter des Micron 2500 wie folgt:

7100 530K900K 1000K Zufällige Schreibrate (IOPS)860K1000K1000KTypische Leselatenz (Mikrosekunden)50Typische Schreiblatenz (Mikrosekunden)12 Ausdauer (TBW)200 TB300 TB600 TBGarantie 3 Jahre
Micron 2500 Solid State Drive 512 GB 1 TB 2 TB
Sequentielle Leserate (MB/s) 6600

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