Samsung gab den Abschluss der Verifizierung der 16-Layer-Hybrid-Bonding-Stacking-Prozesstechnologie bekannt, die voraussichtlich in großem Umfang im HBM4-Speicher zum Einsatz kommen wird

Berichten zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-lagigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen wird. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde.

Dae Woo Kim erklärte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat Das Speichermuster funktioniert normal und die 16-schichtige gestapelte Hybrid-Bonding-Technologie wird für die Massenproduktion von HBM4-Speicher verwendet in der Zukunft.

▲ Bildquelle The Elec, das Gleiche unten

Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Bumps zwischen DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden. Kann die Signalübertragungsrate erheblich verbessern und eignet sich besser für die hohen Bandbreitenanforderungen des KI-Computings.

Hybrid-Bonding kann auch den DRAM-Schichtabstand verringern und dadurch die Gesamthöhe des HMB-Moduls reduzieren, es besteht jedoch auch das Problem unzureichender Reife und hoher Anwendungskosten.

Samsung Electronics verfolgt in Bezug auf die HBM4-Speicher-Bonding-Technologie eine zweigleisige Strategie und entwickelt gleichzeitig Hybrid-Bonding und traditionelle TC-NCF-Prozesse.

Basierend auf dem Bild unten und früheren Berichten auf dieser Website wird die Modulhöhenbeschränkung von HBM4 auf 775 Mikrometer gelockert, was der weiteren Verwendung von TC-NCF förderlich ist.

Samsung arbeitet hart daran, den Wafer-Gap des TC-NCF-Prozesses zu reduzieren, mit dem Ziel, diese Höhe in HBM4 auf weniger als 7,0 Mikrometer zu reduzieren.

Diese Technologie stößt auch auf Zweifel. Dae Woo Kim konterte und sagte, dass die Lösung von Samsung Electronics besser für High-Stack-Module mit 12 bis 16 Schichten geeignet sei als die MR-RUF des Konkurrenten SK Hynix.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSamsung gab den Abschluss der Verifizierung der 16-Layer-Hybrid-Bonding-Stacking-Prozesstechnologie bekannt, die voraussichtlich in großem Umfang im HBM4-Speicher zum Einsatz kommen wird. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!