Kioxia will im Jahr 2031 1.000-Layer-NAND-Flash-Speicher auf den Markt bringen, um das Geschäft mit Speicherspeichern neu zu organisieren

Laut Nikkei xTECH sagte Hideshi Miyajima, CTO von Kioxia, kürzlich bei der 71. Frühjahrsvorlesung der Japan Society of Applied Physics, dass das Unternehmen die Einführung von 1000-Schicht-3D-NAND-Flash-Speichern in den Jahren 2030 bis 2031 und der Speicherklasse beabsichtige Das Speichergeschäft (SCM) wurde neu organisiert.

Kiaoxia und Western Digital arbeiten gemeinsam an der Entwicklung der NAND-Flash-Speichertechnologie. Das fortschrittlichste Produkt der aktuellen Partner ist der 218-schichtige gestapelte BICS8 3D-Flash-Speicher. Der BICS8-Flash-Speicher kann eine I/O-Rate von 3200 MT/s erreichen.

Im Jahr 2022 äußerte ein anderes großes NAND-Unternehmen beim Technology Day eine ähnliche Ansicht. Es wird prognostiziert, dass sie bis 2030 einen gestapelten 3D-NAND-Speicher mit 1.000 Schichten erreichen wollen.

Die Erhöhung der Anzahl der Stapelschichten ist die wichtigste Möglichkeit, die Kapazität eines einzelnen 3D-NAND-Flash-Speicherpartikels zu erhöhen. Mit zunehmender Anzahl der Schichten nimmt jedoch die Schwierigkeit, vertikale Kanäle in Flash-Speicherpartikel zu ätzen, mit zunehmendem Seitenverhältnis allmählich zu. Neben dem hohen Schwierigkeitsgrad und der geringen Ausbeute ist das Ätzen mit hohem Seitenverhältnis auch ein zeitaufwändiger und kostspieliger Prozess: Derzeit dauert jedes Ätzen etwa eine Stunde. Wenn NAND-Fabriken ihre Produktionskapazität erhöhen möchten, müssen sie mehr Ätzmaschinen kaufen .

Deshalb verwendet KioXia in BICS8 einen Dual-Stack-Prozess

, um die vertikale Kanalätzung der beiden NAND-Stacks separat zu erreichen.

Dieser Zug erhöht die Schwierigkeiten beim Passieren zwischen zwei Stapeln, verringert aber insgesamt immer noch die Schwierigkeit. Es wird erwartet, dass der tausendschichtig gestapelte NAND-Flash-Speicher in Zukunft mehr NAND-Stacks enthalten wird.

Darüber hinaus sagte Miyajima Hideshi auch, dass

Kioxia im Vergleich zu Wettbewerbern, die sowohl NAND als auch DRAM betreiben, in Bezug auf den Geschäftsreichtum einen Wettbewerbsnachteil hat, sodass es notwendig ist, neue Speicherproduktgeschäfte wie Speicher der Speicherklasse zu fördern ( SCM)

.

Der CTO sagte, dass sich im Zuge des KI-Booms die Leistungslücke zwischen DRAM und NAND vergrößert und SCM diese Lücke schließen kann.

KioXia hat am 1. April das bisherige „Memory Technology Research Laboratory“ in das „Advanced Technology Research Laboratory“ umorganisiert. Die SCM-Forschung wird sich auf neue Speicher wie MRAM, FeRAM und ReRAM konzentrieren, die voraussichtlich innerhalb von zwei bis drei Jahren ausgeliefert werden.

Laut Berichten auf dieser Website konzentrierte sich Kioxia zuvor auf XL-FLASH-Flash-Speicherlösungen im SCM-Bereich. Das Unternehmen brachte 2022 die zweite Generation von XL-FLASH auf den Markt, die den MLC-Modus unterstützt.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonKioxia will im Jahr 2031 1.000-Layer-NAND-Flash-Speicher auf den Markt bringen, um das Geschäft mit Speicherspeichern neu zu organisieren. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!