Analyst: Der nichtflüchtige NVDRAM-Speicher von Micron hat viele Highlights, wird aber wahrscheinlich nicht kommerzialisiert

Laut Nachrichten dieser Website vom 29. Januar hat Micron seine Forschungs- und Entwicklungsergebnisse für 32 GB 3D NVDRAM (nichtflüchtiger DRAM) auf der IEEE IDM-Konferenz Ende 2023 bekannt gegeben. Laut Informationen, die die ausländischen Medien Blocks & Files von zwei befragten Branchenanalysten erhalten haben, „ist es jedoch grundsätzlich unwahrscheinlich, dass dieser bahnbrechende neue Speicher in die kommerzielle Massenproduktion geht“, aber der technologische Fortschritt, den er zeigt, wird sich voraussichtlich in Zukunft bei Speicherprodukten zeigen . Der NVDRAM-Speicher von Micron basiert auf dem Prinzip der Ferroelektrizität (Anmerkung von dieser Seite: Er weist eine spontane Polarisation auf und die Polarisationsrichtung kann unter einem externen elektrischen Feld umgekehrt werden) und kann bei ähnlicher

Nichtflüchtigkeit

erhalten werden NAND-Flash-Speicher. Hohe Ausdauer und niedrige Latenz, ähnlich wie DRAM. Der neue Speicher nutzt Double-Layer-3D-Stacking und stellt mit seiner Kapazitätsdichte von 32 GB einen neuen Rekord für ferroelektrische Speicher auf. Micron hat NVDRAM-Beispiele auf Basis der LPDDR5-Spezifikation getestet und für geeignet für anspruchsvolle KI-Workloads gehalten.

▲Ähnliches Papierplakat, Bildquelle Egnyte

Beide befragte Analysten glauben jedoch, dass Micron NVDRAM selbst wahrscheinlich kein Massenprodukt wird.

Jim Handy, ein Analyst von Objective Analysis, glaubt, dass der 32-GB-NVDRAM von Micron drei wichtige technologische Fortschritte aufweist:

Zum ersten Mal sind kleinere ferroelektrische Kondensatoren im Produkt implementiert als bestehende DRAMs;

Einführung von Polysilizium in der vertikalen Kanaltechnologie

Förderung der CuA-Technologie (unter CMOS-Array), die in der 3D-NAND-Produktion verwendet wird, im Speicherbereich.

Jim Handy glaubt, dass Micron NVDRAM mit Zirkonium (Zr) dotiertes Hafniumoxid (HfO₂)-Material mit hoher Dielektrizitätskonstante im Kondensator verwendet, was die Speicheraktualisierungsrate erheblich reduzieren und den Stromverbrauch erheblich senken kann. Diese Verbesserung kann auch die Größe der Kondensatoren im DRAM reduzieren und so die Speicherdichte weiter erhöhen.

Die oben genannte Reihe technologischer Verbesserungen ermöglicht es Micron, 32-GB-NVDRAM mit nur einem ausgereiften 48-nm-Prozess herzustellen

. Zum Vergleich: Samsung hat letztes Jahr DDR5-DRAM mit der gleichen 32-GB-Kapazität auf den Markt gebracht und dabei einen 12-nm-Prozess verwendet, der den Micron-Proben deutlich voraus ist. Allerdings sagte Jim Handy auch, dass er einige Hinweise gehört habe, dass der NVDRAM nicht in die Massenproduktion gehen werde.

Ein weiterer interviewter Analyst war Mark Webb von MKW Ventures. Er glaubt, dass Micron viel Zeit und Energie in entsprechende Projekte investiert hat. Wenn ein solch ausführlicher Beitrag auf einer IEDM-Konferenz erscheint, gibt es im Allgemeinen nur zwei Situationen: Entweder steht das Produkt kurz vor der Markteinführung oder das Produkt wird aus unbekannten Gründen abgesagt. Mark Web kam zu dem Schluss, dass er auch nicht glaubt, dass diese spezielle Version des Produkts jemals produziert wird.

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