Heim > Artikel > Technologie-Peripheriegeräte > Renesas Electronics gibt die Übernahme von Transphorm für 339 Millionen US-Dollar bekannt, um das Galliumnitrid-GaN-Produktlayout zu erweitern
Renesas Electronics gab die Übernahme von Transphorm, einem US-amerikanischen GaN-Leistungshalbleiterlieferanten, zu einem Preis von 5,10 US-Dollar pro Aktie für insgesamt 339 Millionen US-Dollar (ca. 2,434 Milliarden Yuan) bekannt. Dieser Kaufpreis stellt einen Aufschlag von rund 35 % auf den Schlusskurs vom 10. Januar dar.
Offiziell erklärt, dass die Übernahme Renesas Zugang zur hauseigenen GaN-Technologie verschafft und seinen Geschäftsumfang in schnell wachsenden Märkten weiter ausbauen wird, darunter Elektrofahrzeuge, Computer, erneuerbare Energien, industrielle Stromversorgungen und Schnellladegeräte /adapter-Felder.
GaN-Technologie zeichnet sich durch höhere Schaltfrequenzen, geringere Leistungsverluste und kleinere Formfaktoren aus, was zu effizienteren, leichteren Strukturen und niedrigeren Gesamtkosten führt. Laut Branchenforschung wird die Nachfrage nach GaN voraussichtlich um mehr als 50 % jährlich wachsen.
Renesas gab bekannt, dass es neue, verbesserte Stromversorgungslösungen unter Verwendung der GaN-Technologie von Transphorm für die Automobilindustrie entwickeln wird. Dazu gehören X-in-1-Antriebsstranglösungen für Elektrofahrzeuge sowie andere Lösungen für Computer-, Energie-, Industrie- und Verbraucheranwendungen. Dies wird die Energieeffizienz und Leistungssteigerungen bei Elektrofahrzeugen und in allen Branchen weiter vorantreiben.
Renesas Electronics wies außerdem darauf hin, dass mit der weltweit steigenden Nachfrage nach effizienten Stromversorgungssystemen verwandte Industrien nach und nach auf Materialien mit großer Bandlücke (WBG) zurückgreifen, die durch Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) repräsentiert werden. Um sich diesem Trend anzupassen, hat Renesas eine eigene Produktionslinie für Siliziumkarbid (SiC) eingerichtet und mit Lieferanten einen 10-jährigen Liefervertrag für Siliziumkarbid (SiC)-Wafer unterzeichnet. Dies wird dazu beitragen, die Marktnachfrage nach effizienten Energiesystemen zu decken und die Entwicklung verwandter Industrien zu fördern.
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