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Samsung wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte des nächsten Jahres die 3-nm-/4-nm-Knotentechnologie der nächsten Generation in Serie produzieren

王林
王林nach vorne
2023-11-03 15:29:01624Durchsuche

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. November gab Samsung Electronics diese Woche den Investoren bekannt, dass es in naher Zukunft die Fotolithografietechnologie umstellen und fördern wird. Plant die Einführung der 3-nm-Prozesstechnologie (SF3) der zweiten Generation und einer Massenproduktionsversion Im zweiten Halbjahr 2024 werden Produkte des 4-nm-Prozesses (SF4X) auf den Markt kommen.

三星有望在明年下半年量产下一代 3nm / 4nm 节点技术
Quelle: Samsung Electronics

In einer Erklärung des Unternehmens heißt es:

Wir beabsichtigen, in der zweiten Jahreshälfte mit der Massenproduktion des 3-nm-Prozesses der zweiten Generation und des 4-nm-Prozesses der vierten Generation zu beginnen Jahr, Damit Hochleistungsrechnen unsere technologische Wettbewerbsfähigkeit weiter verbessern kann

Da sich die Nachfrage nach Mobilgeräten erholt und die Nachfrage nach Hochleistungsrechnen (HPC) weiter wächst, wird erwartet, dass der Markt einen Wachstumstrend verzeichnen wird

Hinweis von dieser Website: Samsung wird bald eingeführt. Die SF3-Prozesstechnologie ist eine bedeutende Verbesserung des bestehenden SF3E-Produktionsknotens. Den bisher veröffentlichten Informationen zufolge wird der Knoten nur zur Herstellung kleiner Chips für das Kryptowährungs-Mining verwendet

三星有望在明年下半年量产下一代 3nm / 4nm 节点技术

Samsung behauptet, dass SF3 eine größere Designvielfalt bietet und im gleichen Einheitentyp mit unterschiedlichen Nanoblatt-Kanalbreiten verwendet werden kann sind für verschiedene All-Gate-Transistoren (GAA) vorgesehen.

Obwohl Samsung SF3 und SF3E nicht direkt verglichen hat, gaben sie an, dass SF3 bei gleicher Leistung und Komplexität erhebliche Verbesserungen aufweist, beispielsweise eine Leistungssteigerung von 22 %. Darüber hinaus wird bei gleicher Frequenz und Anzahl der Transistoren der Stromverbrauch um 34 % reduziert und die Logikfläche wird ebenfalls um 21 % reduziert. Es ist zu beachten, dass Samsung angegeben hat, dass sich diese Verbesserungen auf SF4 beziehen (4LPP, 4-nm-Niveau, geringer Stromverbrauch)

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