Heim >Technologie-Peripheriegeräte >IT Industrie >Die Geburt einer neuen Generation der Speichertechnologie: Samsung entwickelt 32 GB DDR5-DRAM und verdoppelt damit die Kapazität

Die Geburt einer neuen Generation der Speichertechnologie: Samsung entwickelt 32 GB DDR5-DRAM und verdoppelt damit die Kapazität

王林
王林nach vorne
2023-09-11 18:57:02785Durchsuche

Laut Nachrichten vom 1. September gab Samsung Electronics heute bekannt, dass es einen großen Durchbruch erzielt und erfolgreich 32-Gb-DDR5 auf Basis der 12-Nanometer-(nm)-Prozesstechnologie entwickelt hat. DRAM-Speichermodule haben den zukünftigen Datenverarbeitungs- und Speicherbereichen neue Dynamik verliehen. Es wird erwartet, dass diese bahnbrechende Technologie die wachsende Nachfrage nach DRAM-Speichern mit hoher Kapazität für künstliche Intelligenz und Big-Data-Anwendungen decken wird.

Die Einführung dieses neuen 32-GB-DDR5-DRAM-Speichermoduls bedeutet nicht nur eine deutliche Kapazitätssteigerung, sondern sorgt auch für eine effizientere Energienutzung. Durch die neu entwickelten 32-GB-Speicherpartikel können 128-GB-Speichermodule auch ohne den Einsatz des Through Silicon Via (TSV)-Verfahrens hergestellt werden. Im Vergleich zum bisherigen 128-GB-Speichermodul auf Basis von 16-GB-Speicherpartikeln reduziert sich der Stromverbrauch des neuen Produkts um etwa 10 %. Dieser technologische Fortschritt hat das neue Speichermodul zur bevorzugten Lösung für Unternehmen gemacht, denen die Energieeffizienz sehr am Herzen liegt, wie etwa Rechenzentren. Nach Ansicht des Herausgebers sagte SangJoon Hwang, Executive Vice President der Speicherentwicklungsgruppe der Samsung Electronics Memory Division: sagte, dass Samsung basierend auf 12-GB-DRAM-DRAM-Speichermodulen auf Nanoebene mit 32 GB seine Produktpalette an Speicherprodukten mit großer Kapazität weiter ausbauen wird, um den wachsenden Anforderungen der Hochleistungs-Computing- und IT-Branche gerecht zu werden. Samsung wird diese Technologie als Eckpfeiler nutzen, um Kunden leistungsstärkere 32-Gb-Speicherlösungen der 12-nm-Klasse in Bereichen wie Rechenzentren, künstliche Intelligenz und Computing der nächsten Generation anzubieten und so seine führende Position auf dem zukünftigen Speichermarkt weiter zu festigen

Diese 12-nm-Innovation 32 GB DDR5 Es wird erwartet, dass die Massenproduktion von DRAM-Speichermodulen noch in diesem Jahr beginnt, was der Branche ein größeres Potenzial und Entwicklungsmöglichkeiten bietet. Samsung Electronics wird weiterhin eng mit anderen wichtigen Industriepartnern zusammenarbeiten, um gemeinsam die Entwicklung technologischer Innovationen voranzutreiben und die Anforderungen des digitalen Zeitalters umfassend zu unterstützen. 新一代内存技术诞生:三星开发32Gb DDR5 DRAM,容量翻倍

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonDie Geburt einer neuen Generation der Speichertechnologie: Samsung entwickelt 32 GB DDR5-DRAM und verdoppelt damit die Kapazität. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

Stellungnahme:
Dieser Artikel ist reproduziert unter:itbear.com. Bei Verstößen wenden Sie sich bitte an admin@php.cn löschen