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Beginn einer neuen Ära der Speicherung! SK Hynix kündigt die Massenproduktion von 321-Layer-Ultra-High-Level-Flash-Speichern im Jahr 2025 an

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2023-08-22 10:05:091262Durchsuche

Neuigkeiten vom 21. August: Kürzlich hat die NAND-Flash-Speichertechnologie einen weiteren großen Durchbruch erzielt und ein neues Kapitel im Speicherbereich aufgeschlagen. Laut Branchenquellen konkurrieren die größten Speicherhersteller der Welt um die Einführung von Flash-Speicherprodukten auf höchstem Niveau, was neue Erwartungen in der Branche an Speicherdichte und -leistung weckt.

SK Hynix kündigte kürzlich die Einführung eines beeindruckenden Flash-Speichers mit mehr als 300 Schichten an, was einen enormen Fortschritt in der NAND-Flash-Speichertechnologie im Hinblick auf das Stapeln von Schichten darstellt. Dieser Flash-Speicher verfügt über erstaunliche 321 Schichten, nutzt TLC-Technologie und die Kapazität eines einzelnen Die beträgt bis zu 1 TB (128 GB). Allerdings wird dieses Produkt erst 2025 in Massenproduktion hergestellt.

Samsung ist laut koreanischen Medien nicht zu übertreffen und plant, im Jahr 2024 eigene Flash-Speicherprodukte mit mehr als 300 Schichten auf den Markt zu bringen, mit dem Ziel, einen Schritt voraus zu sein. Obwohl die Details des Samsung-Flash-Speichers noch nicht veröffentlicht wurden, ist es sicher, dass das Produkt immer noch die Dual-Stack-Technologie verwendet und eine Reihe von Neuerungen im Detail vorgenommen hat.

Erwähnenswert ist, dass neben der Erhöhung der Anzahl der Schichten auch die Flash-Speicherkapazität immer wieder neue Rekorde aufstellt. Samsung hat kürzlich eine SSD der Enterprise-Klasse mit bis zu 256 TB angekündigt, die QLC-Technologie nutzt, um die Nachfrage des Unternehmensmarkts nach Speicher mit großer Kapazität zu erfüllen. Darüber hinaus entwickeln sie auch aktiv SSDs auf PB-Niveau und es wird erwartet, dass Speicherkapazitäten von mehr als 1.000 TB in naher Zukunft Realität werden erhebliche Auswirkungen auf den Bereich der Datenspeicherung und -verarbeitung. Mit der Weiterentwicklung der Technologie wird die Kapazität von Speichergeräten zunehmen und die Geschwindigkeit wird schneller, was eine leistungsfähigere Unterstützung für verschiedene Anwendungsszenarien bietet

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