Es wird berichtet, dass Samsung Electronics die Investition in die 1-cnm-DRAM-Speicherproduktionslinie der P4-Fabrik in Pyeongtaek bestätigt hat und beabsichtigt, diese im Juni nächsten Jahres in Betrieb zu nehmen.

Laut den Nachrichten dieser Website vom 12. August berichteten die koreanischen Medien ETNews, dass Samsung Electronics intern seinen Investitionsplan für den Bau einer 1c-nm-DRAM-Speicherproduktionslinie in der P4-Fabrik in Pyeongtaek bestätigt hat. Die Produktionslinie soll im Juni in Betrieb genommen werden nächstes Jahr. Pyeongtaek P4 ist ein integriertes Halbleiterproduktionszentrum, das in vier Phasen unterteilt ist. In der frühen Planung war die erste Phase für NAND-Flash-Speicher, die zweite Phase für die Logik-Foundry und die dritte und vierte Phase für DRAM-Speicher vorgesehen. Samsung hat in der ersten Phase von P4 DRAM-Produktionsanlagen eingeführt, den Bau der zweiten Phase jedoch auf Eis gelegt. 1c-nm-DRAM ist die sechste Generation der 20–10-nm-Speichertechnologie, und die 1c-nm-Produkte (oder entsprechenden 1γ-nm-Produkte) der einzelnen Unternehmen wurden noch nicht offiziell veröffentlicht. Koreanische Medien berichteten, dass Samsung Electronics plant, Ende dieses Jahres mit der Produktion von 1c-nm-Speichern zu beginnen.

▲ Samsung Pyeongtaek-Fabrik Laut früheren Berichten auf dieser Website erwägt Samsung Electronics die Verwendung von 1c-nm-DRAM-Chips für den HBM4-Speicher, der in der zweiten Hälfte des nächsten Jahres auf den Markt kommen soll, um die Wettbewerbsfähigkeit der HBM4-Produkte im Energieeffizienzbereich zu verbessern fortschrittlicheren DRAM-Prozess und treffen Sie HBM SK Hynix, den Marktführer auf diesem Gebiet.
Angesichts der Tatsache, dass der Verbrauch an DRAM-Wafern von HBM-Speichern viel höher ist als der von herkömmlichem Speicher, bereitet sich Pyeongtaek P4 mit dem Bau einer 1c-nm-DRAM-Produktionslinie auch auf die Produktionsanforderungen von HBM4 vor.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonEs wird berichtet, dass Samsung Electronics die Investition in die 1-cnm-DRAM-Speicherproduktionslinie der P4-Fabrik in Pyeongtaek bestätigt hat und beabsichtigt, diese im Juni nächsten Jahres in Betrieb zu nehmen.. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!