Samsung Electronics kündigt die Massenproduktion des branchenweit dünnsten LPDDR5X-Speicherpakets an, etwa 9 % dünner als die Vorgängergeneration

Laut Nachrichten dieser Website vom 6. August gab Samsung Electronics heute den Start der Massenproduktion des branchenweit dünnsten LPDDR5X-Speicherpakets bekannt. Die Gehäusehöhe dieses neuen Produkts beträgt 0,65 mm, was etwa 9 % niedriger ist als die 0,71 mm des Produkts der vorherigen Generation, und seine Hitzebeständigkeit ist um 21,2 % verbessert.

Das von Samsung Electronics eingeführte LPDDR5X-Speicherpaket basiert dieses Mal auf LPDDR-DRAM der 12-nm-Klasse. Es verfügt über ein 4-Stack-, 2-Layer-Strukturdesign pro Stack und ist in zwei Kapazitätsversionen erhältlich: 12 GB und 16 GB .

Beim Herstellungsprozess dieses Speicherpakets optimierte Samsung Electronics die PCB- und Epoxid-Formmasse-Technologie (Hinweis auf dieser Website: Epoxid-Formmasse, kurz EMC genannt) und kombinierte sie mit dem Wafer-Rückschleifverfahren Es wird zum dünnsten LPDDR-DRAM-Modul mit einer Kapazität von 12 GB und mehr.

Die geringere Gehäusehöhe und die bessere Hitzebeständigkeit können mehr Belüftungsraum für mobile Geräte bieten, wodurch der Gesamtwärmeableitungseffekt des Geräts verbessert und letztendlich eine bessere Leistung bei generativen KI-Anwendungen auf der Geräteseite mit hoher Auslastung erzielt wird.

Bae YongCheol, Executive Vice President für Speicherproduktplanung bei Samsung Electronics, sagte:

Samsungs LPDDR5X DRAM setzt einen neuen Standard für leistungsstarke geräteseitige KI-Lösungen und bietet nicht nur eine hervorragende LPDDR-Leistung, sondern auch In einem ultrakompakten Paket ist ein fortschrittliches Wärmemanagement implementiert.

Wir engagieren uns für kontinuierliche Innovation durch enge Zusammenarbeit mit Kunden, um Lösungen bereitzustellen, die den zukünftigen Anforderungen des LP-DRAM-Marktes gerecht werden.

Samsung Electronics plant, das ultradünne LPDDR-DRAM-Speicherpaket in Zukunft auf 6-Stack-24-GB- und 8-Stack-32-GB-Module zu erweitern.

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