Yangtze Memory zeigte erneut „sein Schwert“ und verklagte Micron in den Vereinigten Staaten wegen Verletzung von 11 seiner Patente

Nachrichten von dieser Website vom 22. Juli: Laut ausländischen Medien Tomshardware hat der chinesische 3D-NAND-Flash-Speicherhersteller Yangtze Memory Micron kürzlich erneut vor Gericht verklagt und Micron im nördlichen Bezirk von Kalifornien beschuldigt, 11 Patente von Yangtze Memory im Zusammenhang mit 3D NAND verletzt zu haben Flash- und DRAM-Produkte. Yangtze Memory forderte das Gericht außerdem auf, Micron dazu aufzufordern, den Verkauf rechtsverletzender Speicherprodukte in den Vereinigten Staaten einzustellen und Patentgebühren zu zahlen.

Yangtze Memory behauptete, dass Micron:

1. 96-Schicht (B27A)
2. 128-Schicht (B37R)
3. 176-Schicht (B47R)
4. 232-Schicht (B58R) 3D-NAND-Flash

und einige DDR5-SDRAM-Produkte von Micron (Y2BM-Serie) verletzen 11 Patente oder Patentanmeldungen, die von Yangtze Memory in den Vereinigten Staaten eingereicht wurden.

Im November 2023 verklagte Yangtze Memory Micron wegen Patentverletzung in den Vereinigten Staaten, die 8 Patente betraf. Im Juni 2024 verklagte Yangtze Memory ein von Micron finanziertes Beratungsunternehmen in den Vereinigten Staaten und warf ihm vor, falsche Informationen zu verbreiten. Nachdem Yangtze Memory nun erneut „sein Schwert gezeigt“ hat, wird diese Website die Folgenachrichten zu Rechtsstreitigkeiten weiterverfolgen.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonYangtze Memory zeigte erneut „sein Schwert“ und verklagte Micron in den Vereinigten Staaten wegen Verletzung von 11 seiner Patente. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!