Samsung Electronics wird bis Ende 2024 256 GB CXL 2.0-Speichermodule auf Basis von 1-Jahres-nm-DRAM in Massenproduktion herstellen

Diese Website berichtete am 18. Juli, dass Choi Jang Seok, Leiter des neuen Geschäftsplanungsteams der Speicherabteilung von Samsung Electronics, laut koreanischen Medien ZDNet Korea heute sagte, dass Samsung mit der Massenproduktion von 256 GB CMM-D 2.0 beginnen werde, die den Anforderungen entspricht das CXL 2.0-Protokoll bis Ende dieses Jahres.

Dieses Speichermodul wird mit ausgereifteren 1y-nm-Prozess-DRAM-Speicherpartikeln (zweite Generation 10+ nm) ausgestattet und nutzt so die geringeren Leistungsanforderungen des CXL-Speichermoduls für DRAM-Partikel. Samsung Electronics wird in Zukunft auch eine Version mit fortschrittlicheren Partikeln auf den Markt bringen.

▲Samsung Electronics CMM-D-Modul

Neben CMM-D plant Samsung Electronics auch mehrere Arten von CXL-Speicherprodukten, darunter CMM-B-Speicherboxmodule, die mit mehreren CMM-D-Modulen ausgestattet sind, CMM-H Hybridspeichermodul, das sowohl mit DRAM-Speicher als auch mit NAND-Flash-Speicherpartikeln ausgestattet ist.

ChoiJang Seok erwähnte, dass Samsung Electronics intern an einem anderen Produkttyp namens CMM-DC forscht, der ebenfalls über auf CMM-D basierende Rechenfunktionen verfügt.

Mit Blick auf die Zukunft sagte ChoiJang Seok: „Wenn CXL 3.1 und die Pooling-Technologie (Hinweis von dieser Website: CXL-Speicherressourcen können von mehreren Hosts gemeinsam genutzt werden) unterstützt werden, wird der CXL-Markt etwa im Jahr 2028 voll aufblühen.“

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