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Das Ministerium für Industrie und Informationstechnologie plant, die Stromverbrauchsanforderungen für Photovoltaik-Produktionsprojekte weiter zu klären und Unternehmen dabei zu unterstützen, Projekte zu reduzieren, die lediglich die Produktionskapazität erweitern.

王林
王林Original
2024-07-11 12:39:191193Durchsuche

Laut Nachrichten auf dieser Website vom 9. Juli hat das Ministerium für Industrie und Informationstechnologie heute eine Bekanntmachung herausgegeben, um öffentliche Meinungen zu den „Standardbedingungen für die Photovoltaik-Fertigungsindustrie (Ausgabe 2024)“ und „Standardankündigungsmaßnahmen für die Photovoltaik-Fertigungsindustrie (2024)“ einzuholen Auflage)“ (Entwurf für einen Kommentar).

Das Ministerium für Industrie und Informationstechnologie plant, die Stromverbrauchsanforderungen für Photovoltaik-Produktionsprojekte weiter zu klären und Unternehmen dabei zu unterstützen, Projekte zu reduzieren, die lediglich die Produktionskapazität erweitern.

„Standardisierte Bedingungen für die Photovoltaik-Herstellungsindustrie (Ausgabe 2024)“ (Entwurf für Kommentare) erwähnte, dass

1. Photovoltaik-Unternehmen dabei unterstützen, Photovoltaik-Produktionsprojekte zu reduzieren, die lediglich die Produktionskapazität erweitern, technologische Innovationen stärken und die Produktqualität verbessern , reduzieren Sie die Herstellungskosten. Bei Neubau, Sanierung und Erweiterung von Photovoltaik-Produktionsprojekten beträgt die Mindestkapitalquote 30 %.

2. Der Stromverbrauch von Photovoltaik-Produktionsprojekten sollte die folgenden Anforderungen erfüllen:

    Der wiederhergestellte Stromverbrauch bestehender Polysiliziumprojekte beträgt weniger als 46 kWh/kg und der Gesamtstromverbrauch beträgt weniger als 60 kWh/kg ; der wiederhergestellte Stromverbrauch von Neubau-, Renovierungs- und Erweiterungsprojekten Der Stromverbrauch beträgt weniger als 44 kWh/kg und der Gesamtstromverbrauch beträgt weniger als 57 kWh/kg.
  • Der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch bestehender Silizium-Ingot-Projekte beträgt weniger als 7,5 kWh/kg und der von Neubau-, Renovierungs- und Erweiterungsprojekten weniger als 6,5 kWh/kg; wenn polykristalline Ingot-Öfen zur Herstellung von Quasi-Einkristallen verwendet werden oder hocheffiziente polykristalline Produkte, der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch des Projekts. Der Anstieg des Stromverbrauchs darf 0,5 kWh/kg nicht überschreiten.
  • Der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch bestehender Silizium-Ingot-Projekte beträgt weniger als 26 kWh/kg und der von Neubau-, Renovierungs- und Erweiterungsprojekten weniger als 23 kWh/kg.
  • Der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch bestehender polykristalliner Siliziumwafer-Projekte beträgt weniger als 250.000 kWh/Million Wafer, und der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch bestehender monokristalliner Siliziumwafer-Projekte beträgt weniger als 200.000 kWh/Million Wafer beträgt weniger als 100.000 kWh/Million Stück, bei Neubauten sowie Sanierungs- und Erweiterungsprojekten liegen sie bei weniger als 80.000 kWh/Million Stück.
  • Der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch von kristallinen Siliziumbatterieprojekten vom Typ P beträgt weniger als 50.000 kWh/MWp, und der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch von kristallinen Siliziumbatterieprojekten vom N-Typ beträgt weniger als 70.000 kWh/MWp.
  • Der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch von kristallinen Siliziummodulprojekten beträgt weniger als 25.000 Kilowattstunden/MWp, und der durchschnittliche Gesamtstromverbrauch von Dünnschichtmodulprojekten beträgt weniger als 400.000 Kilowattstunden/MWp.

3. Die Produkte von neu errichteten, renovierten und erweiterten Unternehmen und Projekten sollten die folgenden Anforderungen erfüllen:

    Polysilizium erfüllt die Anforderungen der Klasse 3 oder höher von „Electronic Grade Polysilizium“ (GB/T12963) oder „ Anforderungen an „Fließbett-Granulatsilikon“ (GB/T35307) für Premiumprodukte.
  • Die Lebensdauer der Minoritätsträger von polykristallinen Siliziumwafern (einschließlich quasi-monokristalliner Siliziumwafer) beträgt nicht weniger als 2,5 μs, und der Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt beträgt weniger als 6 ppma bzw. 8 ppma; beträgt nicht weniger als 90 μs, und die Lebensdauer der Minoritätsträger von monokristallinen Siliziumwafern vom N-Typ beträgt nicht weniger als 90 μs. Die Lebensdauer beträgt nicht weniger als 1000 μs und der Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt beträgt weniger als 1 ppm bzw. 12 ppm Die Trägerlebensdauer von monokristallinen Siliziumwafern vom N-Typ für Heterojunction-Batterien beträgt nicht weniger als 700 μs, und der Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt beträgt weniger als 1 ppma bzw. 14 ppma.
  • Die durchschnittlichen photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrade von polykristallinen Siliziumzellen, monokristallinen Siliziumzellen vom P-Typ und monokristallinen Siliziumzellen vom N-Typ (bifaziale Zellen werden basierend auf dem Wirkungsgrad auf der Vorderseite berechnet) betragen nicht weniger als 21,7 %, 23,7 % bzw. 26 % .
  • Die durchschnittlichen photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrade von polykristallinen Siliziummodulen, monokristallinen Siliziummodulen vom P-Typ und monokristallinen Siliziummodulen vom N-Typ (bifaziale Module werden basierend auf dem Wirkungsgrad auf der Vorderseite berechnet) betragen nicht weniger als 19,7 %, 21,8 % bzw. 23,1 % . Der durchschnittliche Wirkungsgrad der photoelektrischen Umwandlung von CIGS, CdTe und anderen Dünnschichtkomponenten beträgt nicht weniger als 16 %, 16,5 % bzw. 15 %.

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