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Samsungs Massenproduktionsprozess für V-NAND-Metallverdrahtungen der 9. Generation nutzt erstmals Molybdäntechnologie

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2024-07-03 17:39:551220Durchsuche

Diese Website berichtete am 3. Juli, dass Samsung laut koreanischen Medien The Elec erstmals versucht habe, Molybdän (Mo) in der „Metallverkabelung“ seines V-NAND der 9. Generation zu verwenden.

三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

Hinweis von dieser Seite: Die acht Hauptprozesse im Halbleiterherstellungsprozess sind:
  1. Waferherstellung
  2. Oxidation
  3. Fotolithographie
  4. Ätzen
  5. Metallverdrahtung
  6. Testen
  7. Packen Alterung
  8. Metall Der Verkabelungsprozess verwendet hauptsächlich verschiedene Methoden, um Milliarden elektronischer Komponenten zu verschiedenen Halbleitern (CPU, GPU usw.) zu verbinden. Man kann sagen, dass er „Halbleitern Leben einhaucht“.

Quellen sagen

Samsung hat fünf Mo-Abscheidungsmaschinen der Lam Research Company vorgestellt und plant, im nächsten Jahr 20 weitere Geräte einzuführen.

Neben Samsung Electronics erwägen auch Unternehmen wie SK Hynix, Micron und Kioxia den Einsatz von Molybdän. Im Gegensatz zu Wolframhexafluorid (WF6), das im bestehenden NAND-Prozess verwendet wird, ist der Molybdän-Vorläufer (Molybdän-Vorläufer) fest und muss bei einer hohen Temperatur von 600 °C direkt in einen gasförmigen Zustand sublimiert werden.

Samsung berichtete im Mai dieses Jahres, dass es mit der Massenproduktion der ersten Charge des V-NAND-Flash-Speichers der neunten Generation begonnen habe, wobei die Bitdichte im Vergleich zum V-NAND der achten Generation um etwa 50 % gestiegen sei.

Der V-NAND der neunten Generation ist mit der NAND-Flash-Schnittstelle „Toggle 5.1“ der nächsten Generation ausgestattet, die die Dateneingabe-/-ausgabegeschwindigkeit um 33 % auf bis zu 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) erhöhen kann. Neben dieser neuen Schnittstelle plant Samsung auch, seine Position im Markt für Hochleistungs-SSDs durch die Ausweitung der Unterstützung für PCIe 5.0 zu festigen.

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